1.华虹宏力“ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法”专利获授权；

2.荣耀“控制芯片的管理方法、电子设备和计算机可读存储介质”专利获授权；

3.润石“基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路”专利获授权；

1.华虹宏力“ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法”专利获授权；

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法”的专利，授权公告号为CN113506756B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2021年6月28日。

本发明公开了一种ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法：步骤一，ONO层生长，完成后整体的ONO层厚度为原目标厚度值+d；步骤二，湿法清洗步骤，目标刻蚀量为c；步骤三，测量ONO层的整体厚度，ONO层厚度测量值为b；步骤四，根据步骤三中计算出的刻蚀最终目标值选择相应的栅氧化层生长前的清洗工艺，栅氧化层生长前清洗工艺的刻蚀量=b最终ONO膜厚目标值；步骤五，栅氧化层生长；步骤六，生长制作栅极的多晶硅层。本发明针对ONO层中最顶层的HTO氧化层的工艺参数进行调整，在淀积形成ONO层时使形成的最顶层的HTO氧化层的实际厚度比设计目标厚度略高一些，减小淀积厚度误差以及清洗、湿法刻蚀误差所累积带来的误差问题。

2.荣耀“控制芯片的管理方法、电子设备和计算机可读存储介质”专利获授权；

集微网消息，天眼查显示，荣耀终端有限公司近日取得一项名为“控制芯片的管理方法、电子设备和计算机可读存储介质”的专利，授权公告号为CN116996765B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2023年9月28日。

本申请涉及电子技术领域，提供了一种控制芯片的管理方法、电子设备和计算机可读存储介质。该方法应用于电子设备，电子设备至少包括目标摄像头和其他摄像头，目标摄像头和其他摄像头不同，目标摄像头和其他摄像头的控制芯片均连接相同的电源端口。该方法包括：获取拍摄指令，拍摄指令用于指示所述目标摄像头进行拍摄；响应于拍摄指令，向其他摄像头的控制芯片发送休眠指令，休眠指令用于指示其他摄像头的控制芯片进入休眠状态。以上方法可以节约电子设备的功耗。

3.润石“基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路”专利获授权；

集微网消息，天眼查显示，江苏润石科技有限公司近日取得一项名为“基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路”的专利，授权公告号为CN117713788B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2024年2月5日。

本申请实施例提供了一种基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路，高压开关电路包括薄栅氧化层高压NMOS管和薄栅氧化层高压PMOS管，所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路；所述第一控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压NMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压NMOS管安全开启，所述第二控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压PMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压PMOS管安全开启，通过设置第一控制电路和第二控制电路安全开启所述高压开关电路中的NMOS管和PMOS管，有效解决了现有技术中薄栅氧高压器件容易因器件耐压性不好，进而作为高压开关使用时容易被击穿的问题。