金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，镓联通科技股份有限公司申请一项名为“含复合式缓冲层半导体结构及制法”的专利，公开号 CN 119833390 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明是有关于一种在蓝宝石(Sapphire)、硅(Si)或碳化硅(SiC)材质的基板(Substrate)上借由在沉积(MOCVD,PVD,ALD,PECVD)或磊晶(MBE)制程中通入适量氧气(O2)的方式来形成氧氮化铝(AlNO)薄膜或包含氧氮化铝(AlNO)及其上的氮化铝(AlN) 、氮化镓(GaN) 、及/ 或氮化铝镓(AlxGa1‑xN)的复合式多层薄膜结构，做为后续制作氮化镓半导体元件(GaN Device)于其上的复合式缓冲层结构。本发明的技术可获得较好的结晶品质、表面平整性佳、粗糙度低、同质基板材料不受限制造商、制造具均匀及稳定性高的表面处理层于基板表层、降低基板晶格常数不匹配产生错位问题、缩短为处理贯穿差排工序、氮化镓半导体元件可获得良好稳定性的磊晶品质等优点。