京东方华灿光电申请生长基板及其制备方法和晶体管专利,改善衬底和GaN外延层之间的位错密度

金融界2025年5月3日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“生长基板及其制备方法和晶体管”的专利,公开号CN119907282A,申请日期为2024年12月。

专利摘要显示,本公开提供了一种生长基板及其制备方法和晶体管,属于电力电子领域。该生长基板包括:衬底、氮化硼层和石墨烯层,所述氮化硼层和所述石墨烯层依次层叠在所述衬底上,所述石墨烯层的远离所述衬底的表面具有多个间隔排布的掩膜图案。本公开实施例改善衬底和GaN外延层之间的位错密度,且能多次循环利用,降低使用成本。

天眼查资料显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司,成立于2012年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(苏州)有限公司参与招投标项目85次,专利信息544条,此外企业还拥有行政许可43个。

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