1.阿里巴巴AR电子设备专利获授权，能够提高AR画面质量及展示效果

2.【专利解密】消除彩虹纹干扰 双星新材发明抗彩虹纹聚酯薄膜方案

3.鹏辉能源再获2项电池相关专利证书

4.SRAM PUF：安全的硅指纹

5.海信视像：将持续加强Micro/Mini LED等核心自研技术开发

1、阿里巴巴AR电子设备专利获授权，能够提高AR画面质量及展示效果

集微网消息，近日，天眼查APP显示，阿里巴巴集团控股有限公司“增强现实信息提供方法、装置及电子设备”专利获授权。

摘要显示，本申请实施例公开了增强现实信息提供方法、装置及电子设备，该方法包括：接收到第一线程采集的一帧实景图像信息时，暂停所述第一线程的实景图像采集操作；将所述实景图像信息提供给第二线程，由所述第二线程根据目标物体在增强现实AR画面中的展示属性信息，确定虚拟图像在AR画面中的展示属性信息；指示第三线程对所述第一线程采集的实景图像以及所述第二线程生成的虚拟图像进行合成及绘制，并指示所述第一线程执行下一帧图像的采集操作。

通过本申请实施例，能够避免在终端设备发生移动等情况时导致的虚拟图像发“飘”的现象发生，提高AR画面的质量及展示效果。

在加大专利布局的同时，阿里巴巴也在推进股权回购。日前，阿里巴巴集团宣布将股份回购计划的规模由150亿美元扩大至250亿美元，回购将持续至2024年3月底。此举亦创下中概股回购规模纪录。

2、【专利解密】消除彩虹纹干扰 双星新材发明抗彩虹纹聚酯薄膜方案

【嘉勤点评】双星新材发明的抗彩虹纹聚酯薄膜方案，采用了不含不相容物质的方案，在线涂布时的拉伸固化对涂层厚度均匀性的影响相对较低。不仅保持了较好的平整度，而且具有良好的涂层的粘接性。

集微网消息，聚酯薄膜具有优异的光学、机械、电学、热、力学性能，在光电领域有着广泛的应用。用于光电领域的聚酯薄膜，常以聚酯薄膜为基膜在表面涂上UV树脂进行硬化，来提高聚酯薄膜的耐磨性。

但是由于基膜和硬化层的厚度差异、涂层成分偏差、折射率不匹配等因素，硬化后的聚酯薄膜容易出现反射光干涉的现象，即彩虹纹。彩虹纹的存在会影响产品的透光度和视觉效果。

现有技术中，通常在聚酯基膜拉伸之前涂布底涂液，然后再进行双向拉伸。由于底涂液的涂覆厚度经过双向拉伸之后会降低非常多，此时分布于底涂液中的固体氧化物颗粒在双向拉伸过程中很容易划伤表面。同时如果颗粒聚集或者粒径过大，在拉伸过程中将会在颗粒周围形成气泡，进一步导致底涂层的厚度不均匀，并且会严重影响底涂层的透明性。

因此，要降低固体氧化物带来的不利影响，就需要对固体成分的分散度、涂布设备、工艺进行严格控制，但这会严重增加在线涂布的成本和生产效率。为此，双星新材在2021年8月31日申请了一项名为“一种抗彩虹纹聚酯薄膜”的发明专利（申请号：202111010579.6），申请人为江苏双星彩塑新材料股份有限公司。

根据该专利目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项技术方案吧。

如上图，为该专利中发明的抗彩虹纹聚酯薄膜的结构示意图，该聚酯薄膜的主体部分由折射率为1.63-1.65的聚酯基膜1构成。聚酯基膜的表面覆盖有一层折射率为1.55-1.60的在线涂层2，在线涂层的外侧形成有一层折射率为1.40-1.50的硬化层3。从上图中可以看到，在聚酯基膜的两侧表面均通过在线涂布的方式形成了一层在线涂层。

该方案的基本构思是设置一层位于聚酯基膜和硬化层之间在线涂层，其折射率刚好介于聚酯基膜和硬化层之间，通过折射率的梯度匹配获得消除彩虹纹的技术效果。在线涂层可以由丙烯酸胶粘剂、聚碳酸酯、丙烯酸乙酯、聚环氧乙烷、四氢呋喃、乙烯‑醋酸乙烯共聚物通过在线涂布固化形成。

如上图，分别为现有技术（左侧）和该方案（右侧）中的聚酯薄膜的光反射率曲线示意图。其中可以明显看出，对于该没有设置在线涂层的现有技术的聚酯薄膜来说，其对于不同波长的光线的反射率都是不同的。而该方案申请的聚酯薄膜由于设置有折射率梯度匹配后的结构，因而在500nm-700nm波长范围内的光线的反射率基本一致。由此，在肉眼敏感区域消除了不同波长光线的相互干涉问题，从而可以获得抗彩虹纹的技术效果。

同时，该方案采用了中间折射率的方案，不需要添加高折射率的固体颗粒物，避免了透光率下降的问题。并且，这种采用不含不相容物质的方案，在线涂布时的拉伸固化对涂层厚度均匀性的影响相对较低，保持了较好的平整度，而且涂层的粘接性也相对要好很多。

最后，如上图，为该专利中发明的抗彩虹纹聚酯薄膜的制造设备的结构示意图，该工艺流程依次包括混合料仓100、喂料机201、双螺杆挤出机202、纵向拉伸机构203、横向拉伸机构204以及薄膜收卷机构205。

纵向拉伸机构和横向拉伸机构之间设置有在线涂布机构300，在线涂布机构包括用于在纵向拉伸机构形成的拉伸片的两侧涂布形成在线涂层的一对涂布辊301。另外，线涂布机构还具有通过管路分别向一对涂布辊输送底凃液的共用的液槽303。

以上就是双星新材发明的抗彩虹纹聚酯薄膜方案，该方案采用了不含不相容物质的方案，在线涂布时的拉伸固化对涂层厚度均匀性的影响相对较低。不仅保持了较好的平整度，而且具有良好的涂层的粘接性。

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3、鹏辉能源再获2项电池相关专利证书

集微网消息，广州鹏辉能源科技股份有限公司（以下简称“鹏辉能源”）发布公告称，该公司近日收到国家知识产权局颁发的实用新型专利证书。

其中，“异型极耳及扣式软包锂电池”专利号为ZL 2021 23304590.1。专利摘要显示，本实用新型提供了一种异型极耳及扣式软包锂电池,涉及电池的技术领域,该异型极耳包括第一焊片和第二焊片,所述第二焊片设置在所述第一焊片的上端,且所述第一焊片的长度方向和所述第二焊片的长度方向形成夹角α ,且所述夹角α 为钝角。本实用新型提供的异型极耳的第一焊片与第二焊片成钝角连接,这样当异型极耳的第一焊片固定在电芯的侧面以后,将第二焊片折叠在圆形电芯上表面的时候,由于第二焊片不是第一焊片的直线延伸,第二焊片折叠后不指向电芯的上表面的圆心,即在电芯上设置两个相邻的异型极耳的时候,两个第二焊片均不指向圆心,降低了两个第二焊片接触的风险,有效的避免两个极耳短路。

“一种纽扣电池及电子产品” 专利号为ZL 2021 23320454.1。专利摘要显示，本申请公开了一种纽扣电池及电子产品,涉及电池技术领域。纽扣电池包括壳体组件、导电片、绝缘片及电芯;壳体组件包括端盖和主壳体,所述主壳体一端设有一体成型的底板,所述端盖与所述底板相对,所述底板上开设有第一开口;导电片设置于所述第一开口位置;沿所述纽扣电池的轴向,所述绝缘片设于所述导电片与所述底板之间,以使所述导电片与所述底板绝缘,所述绝缘片上开设有与所述第一开口连通的通孔;电芯设置于所述壳体组件内,所述电芯分别与所述端盖和所述导电片电连接。本申请提供的纽扣电池结构简单,组装方便,可提高高度和直径方向的空间利用率,提高纽扣电池容量。

另外，鹏辉能源在公告中指出，上述专利的取得和应用对公司目前的经营业绩暂不会产生重大影响，但有利于公司进一步完善知识产权保护体系，增强公司核心竞争力。

4、SRAM PUF：安全的硅指纹

“现如今，低成本且功能强大的密钥存储技术对于实现经济实惠且有效的安全系统至关重要。”

多年来，硅物理不可克隆功能 (PUF) 一直被视为一种稳步发展的有前途的创新安全技术。如今，基于静态随机存取存储器 (SRAM) 的 PUF 提供了成熟可行的安全组件，在商业产品中得到了广泛应用。它们存在于各种设备中，从微型传感器、微控制器到高性能现场可编程门阵列 (FPGA) 以及用以保护金融交易、用户隐私和军事机密的安全元件中。今天，我们将介绍一种强大的物理不可克隆技术- Intrinsic ID的SRAM PUF技术。

物理不可克隆功能（PUF）的概念

• PUF提供了一种验证电子设备或芯片，并利用其不可克隆的硅指纹生成加密密钥的方法。

• 它利用制造过程中不可控的深亚微米变化来获得稳定的、不可克隆的设备唯一标识。

SRAM PUF 技术的优势

· 无需编程加密或从外部获取熵。

· 断电时设备中不会存储任何秘密。

· 基于不可克隆的硅结构的密钥和标识符。

· 使用现有的标准硬件(SRAM) 作为PUF。

可靠性和认证

· 高级纠错功能。

· 基于多年跨技术节点和操作环境的广泛可靠性测试。

· 使用 SRAM PUF 的设备已通过政府审查以及EMVCo-Visa 和 CC EAL6+认证。

应用市场

· 智能卡、FPGA

· 传感器、微控制器

· 手机、汽车、物联网

基于SRAM的PUF介绍

由于深亚微米制造工艺的变化，集成电路 (IC) 中每个晶体管的物理特性都略有不同。这些导致了在电子特性方面微小但可测量的差异，例如晶体管阈值电压和增益系数。由于这些工艺变化在制造过程中不完全可控，因此这些物理设备的属性无法被复制或克隆。

阈值电压易受温度和电压等环境条件的影响，因此不能直接作为唯一密钥或标识符。

另一方面，SRAM 单元的行为取决于其晶体管阈值电压的差异。即使是最小的差异也会被放大，并推动 SRAM 单元进入两种稳定状态之一。因此，它的 PUF特征比基本阈值电压稳定得多，所以阈值电压差成为使用阈值电压构建标识符最直接和最稳定的方法。

SRAM PUF的特性

SRAM 存储器由多个SRAM单元组成。每个SRAM 单元由两个交叉耦合的反相器组成，每个反相器都由一个 p- 和 n- MOS 晶体管构成。当 SRAM 单元通电时，其逻辑状态由反相器中 p-MOS 晶体管的阈值电压之间的关系决定。首先开始导通的晶体管决定了结果，即逻辑0或1。

事实证明，由于阈值电压的随机差异，在每次 SRAM 通电时，每个 SRAM 单元都有自己的首选状态。这种偏好独立于相邻单元的偏好，并且独立于SRAM单元在芯片或晶圆上的位置。

因此，SRAM区域会产生独特且随机的0 /1模式。这种模式可以称为SRAM指纹，因为它在每个SRAM以及每个芯片上都是独一无二的，它可以作为一种PUF。

从SRAM PUF派生的密钥不存储“在芯片上”，而是仅在需要“从芯片上”提取。这样，它们仅在非常短的时间窗口内出现在芯片中。当 SRAM 断电时，芯片上没有密钥，因此这种解决方案非常安全。

PUF 的可靠性

决定PUF行为的深亚微米工艺变化在制造过程中被锁定，之后不会再改变。因此，SRAM单元的偏好是持久和稳定的，不随时间推移而改变。

但是，还是有一定程度的噪音存在。少数接近平衡的SRAM单元是不稳定的，它们的启动偏好似乎有一定的随机性。因此，每次启动SRAM的时候，呈现模式都略有不同。这些噪声分量取决于温度、电压斜坡和操作环境。

基于 SRAM的PUF 响应的噪声已经在各种环境和铸造工艺下进行了详尽的表征和测试：

• 温度范围为 -55°C 至 +150°C（-67°F 至 300°F）

• 电压变化+/-20%

• 湿度高达 80%

• 3V/m 的 EMC 测试（EN55020 0.15–150 MHz 和 IEC 61000-4-3 80-1000MHz）

特别是SRAM PUF已通过与客户和合作伙伴的合作，获得了汽车、工业和军事用途的资格。

我们已经进行了数百万次测量，在所有情况下，基于 SRAM 的 PUF 响应的平均噪声水平低于15%。尽管有这些噪音，但每次 SRAM 通电时，都可以为设备重建一个高熵，唯一且可靠的密钥。这可以通过应用纠错技术来完成，例如“辅助数据算法”[1] 或“模糊提取器”[2]。这些算法主要有两个功能：纠错和隐私放大，我们将在后文详细介绍。

纠错功能

用于密码密钥重建的纠错技术需要注册阶段和重建阶段。在注册阶段（一次性过程），PUF 响应被映射到纠错码的码字上。有关映射的信息存储在激活码 (AC) 或“帮助数据”中。AC的构造使其不会泄露关于密钥的任何信息。它应该存储在 PUF 算法可访问的内存中，但它可以存储在芯片外，因为它不敏感。对 AC 的任何更改，无论是否恶意，都将阻止密钥重建。AC仅对创建它的芯片有效。

每次设备运行身份验证协议并需要 PUF 密钥时，都会执行新的有噪的PUF测量，并从AC和此新PUF 响应中提取出无噪的PUF密钥，这称为重建阶段。注册和重建阶段如图2所示。

纠错算法的设计，可以获得错误率低于10^-12 的重构密钥，而在平均噪声为 25% 的极端情况下，获得错误率小于10^-9 的重构密钥。

隐私放大和安全功能

密钥提供安全性，是基于它们完全随机性导致的不可预测性。物理测量，例如 PUF 响应，具有高度的随机性，但通常不是完全均匀随机的。隐私放大算法则用来生成均匀随机的密钥。

通过将纠错算法和隐私放大算法相结合，一个1kByte的 SRAM PUF响应可以变成一个256位的均匀随机密钥，而一个完全随机的128位密钥只需要大约0.5kByte。一个典型的SRAM PUF包含如此大的熵---只需要几十个字节即可为电子芯片提供全球无冲突的唯一标识符，用作唯一（但有噪）的电子芯片ID (ECID) 或序列号。

客户的专门安全实验室和团队已经分析了Intrinsic ID的SRAM PUF对抗各种侵入式和非侵入式物理攻击的安全性，没有发现任何的弱点。利用扫描电子显微镜、激光、FIB 和探针的攻击也都以失败告终。边信道攻击也未导致任何敏感信息的泄露。

使用寿命

已对SRAM PUF 进行了加速老化测试，以研究噪声水平随时间的变化。通过使用专利抗老化技术[3]，可以保证SRAM PUF技术25年的使用寿命。

SRAM PUF 实施案例 – QuiddiKey 和 BroadKey

Intrinsic ID产品已经将上述的纠错、随机提取、安全对策和抗老化技术结合到其产品中。从 SRAM PUF 中提取加密密钥非常安全的方式。它们或以硬件IP（网表）的形式，如QuiddiKey®；或以固件（ANSI C代码）的形式，如BroadKey™，或通过使用 BroadKey 的硬件接口将两种形式相结合。如果集成了硬件加速器，这种软硬件结合的混合解决方案可以提供极高的效率，例如把（a-）对称加密与 SRAM PUF 技术相结合。

硬件 IP 灵巧而快速——大约 25000门/50000个周期连接到常见接口，例如 AMBA® AHB、APB 以及专有接口。逻辑中包含内置的自测 (BIST)、诊断和自检，驱动程序用以简化与软件的集成。由于它是纯数字的单时钟逻辑，因此可以很容易地与任何技术进行结合。

软件参考应用从 4KB 的代码开始，可用于各主要平台，例如 ARM®、ARC®、Intel®、MIPS 和 RISC-V。软件实现可通过固件升级的方式在现有产品中添加PUF 技术。Intrinsic ID产品还提供与 ARM® TrustZone® 预集成的 BroadKey 版本。

QuiddiKey 硬件和 BroadKey 软件解决方案均可针对低占用空间、低延迟或低内存使用进行优化，具体取决于应用程序。再利用或与现有的加密内核和随机数生成器集成可以进一步提高性能并减少占用空间。Intrinsic ID的解决方案附带全面的产品规格和集成指导，包括提供给应用程序程序员的API 用法的参考码。

这些Intrinsic ID产品使用未初始化的 SRAM。这可以是一个单独的SRAM块或大块的现有SRAM 的一部分，标准 SRAM 就够了。要存储激活码 (AC)，则需要访问存储介质。这可以是嵌入的非易失性内存 (NVM)，板上的一个单独内存，例如闪存或云存储。对于固件版本BroadKey，则需要一个具有C编译器的微控制器。PUF 算法可以存储在任何 NVM 中，例如闪存、ROM。

请注意，SRAM 可以嵌入在几乎所有微处理器和系统芯片上的在每个技术节点中，是标准制造过程的一部分。无需耗时的资格认证和芯片测试，因为Intrinsic ID及其合作伙伴的广泛测试表明，该技术可以可靠地缩小到当前可用的最小技术节点。

基于SRAM的PUF整体解决方案也可以从半导体公司购买。它们已经部署在各种微控制器、FPGA 和智能卡控制器中。在其它市场，软件实施[4] 已使该技术能够快速部署，甚至作为改造解决方案。另外，Intrinsic ID与领先的半导体公司合作，开发了用于保护嵌入式系统、传感器和控制器的解决方案。

结论

基于SRAM的物理不可克隆功能已在商业产品中成功实现。SRAM PUF将高安全性和可靠性与低成本、低占用空间设计和易实施性相结合，已经部署在许多设备中，从微型微控制器、传感器到高性能的 FPGA 和安全元件。

大量的实施一致证明了该技术的可靠性和安全性。SRAM PUF 是一项基于坚实的理论基础，专为安全性而设计的成熟且强大的技术。SRAM PUF 已经在高安全性市场中获得了口碑，现在从低成本物联网应用到政府、国防到支付行业的高端安全解决方案等市场中都获得了广泛的关注。

5、海信视像：将持续加强Micro/Mini LED等核心自研技术开发

集微网消息，5月12日，海信视像在投资者互动平台表示，以LED领域最为前沿的技术之一Micro/Mini LED为例，公司将持续加强核心自研技术开发，提高内生发展能力的同时，积极寻找战略协同的投资机遇，充分聚合内外部资源，加快发展步伐；以自研和投资并举，提高公司在 Micro/Mini LED 显示核心器件前沿技术领域研发纵深化发展效率，为 LED 领域的可持续市场竞争力奠定基础。

据了解，海信视像与海信医疗同为海信集团控股股份有限公司的子公司。海信视像为海信医疗有偿提供显示相关产品。近期，海信视像以有偿的方式，与海信医疗优势互补，联合研发并生产制造了Mini-LED医用内窥显示器中的Mini LED屏。海信视像在应用于医疗场景的显示屏领域的尝试尚处于起步阶段。

同时，数字化营销是海信视像的营销方向之一。其在虚拟现实内容生产和服务平台以及人物 3D 虚拟数字化方面已有相应研发成果，并将部分成果应用到了营销方面，如采用数字人发布会的形式进行了音乐电视新品发布，发布会采用了公司旗下聚好看云XR视频直播一站式解决方案，取得了好的市场反响。谢谢您的宝贵建议，虚拟现实显示及数字化营销方面的研究、商用及跨界融合我们会持续推进。

在车载领域，海信视像已正式进入高端汽车电子前装市场并已中标项目，预计今年将完成首批高端车载显示硬件产品交付。家用、商用和车载为消费者三大核心空间场景。继在家用和商用显示领域产业发展成熟后，海信视像正向车载场景积极拓展，正发挥 Mini LED 显示、芯片技术等方面的优势，进行高端车载显示产品研发。

另外，海信在芯片领域具有长期的技术积累。海信早在2005年就研发出中国首颗拥有自主知识产权并产业化的数字视频处理芯片，截至目前已推出了20余款画质芯片和AI芯片。