三星半导体宣布成功研发出业界性能最佳的UFS 4.0（通用闪存）存储芯片，并通过了JEDEC固态存储协会的认证和认可。

在性能方面，UFS 4.0的每通道带宽速度提升至23.2Gbps，是UFS 3.1的两倍。基于三星第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读取速度可达4200MB/s，连续写入速度可达2800MB/s。

作为对比，三星业界性能最好的512GB UFS 3.1闪存芯片（2020年3月发布）标称顺序读取速度最高可达2100MB/s，写入速度可达1200MB/s。这也就意味着UFS 4.0的读写速度相比上代产品翻了一番，提速的同时，单位电耗依然很低，意味着用户可以获得更长的电池续航时间。