#英飞凌#携手#Enphase#通过600 V CoolMOS提效降本

全球能源技术公司Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。

通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的 MOSFET 内阻（RDS(on)），进而减少了导通损耗，提高了整体设备效率和电流密度，而且还节省了与MOSFET相关的成本。

英飞凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8 MOFET提高了充电器和适配器、太阳能和储能系统、电动汽车充电和不间断电源（UPS） 等应用的整体系统性能，进一步推动了低碳化。

而600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 的栅极电荷较CFD7降低了18%，较P7系列降低了33%。栅极电荷的降低减少了MOSFET 的栅极从关断状态（非导通）切换到导通状态（导通）所需的电荷，使系统更加节能。

此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET拥有更快的关断时间，其热性能较上一代产品提高了14%至42%，并集成快速体二极管，提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封装，适用于各种消费和工业应用。

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET样品将从四月初开始供应。