11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。此次论坛汇聚了众多院士及产业链各环节的逾千名代表，共同探讨第三代半导体技术的最新发展与未来趋势。在11月19日开幕式上，2024年度中国第三代半导体技术十大进展重磅揭晓，这些进展不仅代表了行业的技术前沿，也预示着产业发展的新方向，受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论，其中广州第三代半导体创新中心“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破”入选2024年度中国第三代半导体技术十大进展。

西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队成功攻克了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件的外延、设计、制造和可靠性等系列难题，基于低翘曲超薄外延、高质量双层钝化等创新方法，实现1200V和1700 V高性能 GaN HEMT中试产品开发，通过HTRB、HTGB等可靠性评价，成果应用于致能科技等公司系列产品中，显著推动蓝宝石基GaN成为中高压电力电子器件方案的有利竞争者。